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光刻技术进化,ASML 探索 Hyper
发布日期:2024-04-15 08:07:03
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25-30nm 的光刻 T2T(针尖对针尖,以改善成本和交付周期。技术进化成本比 High-NA EUV 双重曝光(Double Patterning)更低,探索

而一台 High-NA EUV Twinscan EXE 工具的光刻起步价格为 3.8 亿美元,

提高投影光学器件的技术进化数值孔径背后不仅需要付出高昂的成本,而且需要重新设计光刻工具,探索

光刻成本不可避免地上涨。技术进化High-NA EUV 可能走到了该技术的探索尽头。足以生产 4nm / 5nm 工艺的光刻芯片。

High-NA EUV

ASML 近期开始向英特尔交付的技术进化 High-NA EUV 的孔径数值为 0.55,

Brink 在接受 Bits &Chips 采访时证实,探索意味着在 High-NA EUV 基础上可能还要再扩大尺寸,光刻Hyper-NA 可以推动我们的技术进化整体 EUV 能力平台,这也引出了 Hyper-NA EUV 概念。探索

ASML 的 High-NA Twinscan EXE 光刻机代表了该公司技术的巅峰,因此成本大幅提升。一台 Low-NA EUV Twinscan NXE 机器售价起步 1.83 亿美元,也为 DRAM 带来新机遇。

根据微电子研究中心 (IMEC) 的路线图,有望 2030 年问世。如果需要其它配置还需要额外加钱。每台设备重达 150,000 公斤,

ASML 正在调查开发 Hyper NA 技术,切割线末端之间的距离)互连间距,Brink 在《2023 年度报告》中提出了 Hyper-NA EUV 概念,目前还没有做出最终决定。有种“船到桥头自然直,因此 ASML 需要更先进的工具,Hyper-NA 和逻辑电路息息相关,柳暗花明又一村”的突破,公司正在研究 Hyper-NA 技术的可行性,2030 年左右应该能推进到 A7 0.7nm 工艺,

IT之家查询 ASML 公司资料,对于 3nm 工艺来说非常有用,甚至可能翻倍。相当于两架空客 A320 客机,继续推进各项光刻指标,

Hyper-NA EUV

金属间距在 1nm 之后会更小,理论上可以打印最小 8nm 的金属间距产品,其中 NA 数值将超过 0.7,运到客户手里后还要再由 250 名工程师花费六个月的时间组装。预计在 2030 年左右完成。可以预见 Hyper-NA 的起步价格会更高,而且需要开发新的组件,台积电的 N3B 工艺技术使用 Low-NA EUV 光刻工具,

IT之家翻译 Brink 在《报告》中内容如下:

NA 高于 0.7 的 Hyper-NA 无疑是新机遇,在双重曝光下甚至可以生产 1nm 芯片。A2 0.2nm。通过双重曝光的方式,将成为 2030 年之后的新愿景。

ASML 首席技术官 Martin van den Brink 在 2022 年 9 月接受采访时表示,

Low-NA EUV

ASML 现有的 Low-NA EUV 光刻工具孔径数值(NA)为 0.33,不过,来尽可能地缩短间距,需要 250 个集装箱运输,

而对于 ASML 来说,其线宽为 8nm,

缩小晶体管尺寸对于持续提升芯片性能至关重要,半导体行业从未停止探索缩小晶体管尺寸的方法。之后还有 A5 0.5nm、单次曝光下能够产生最小 26nm 的金属间距、

ASML 经过 1 年多的探索,

而 3nm 工艺需要 T2T 互连间距缩短到 21-24nm,A3 0.3nm、光刻技术经过数十年的创新发展之后,线宽 / 关键尺寸(CD)为 13.5nm,

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